首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2021年8月16日 硅，是制造半导体芯片及器件最为主要的原材料，因自然界储量大、制备相对简单等优点，成为了目前制造半导体芯片和器件最为主要的原材料，目前90%以上的半导体产品是以硅为衬底制成的。 然而受材
了解更多
2021年3月13日 碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，因为禁带宽度大于2.2eV统称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三
了解更多
2023年6月22日 SiC 的优点. 过去，制造商在高温环境下将碳化硅用于轴承、加热机械部件、汽车制动器甚至磨刀工具等设备。. 在电子和半导体应用中，SiC 的优势主要包括：.
了解更多
2019年9月25日 碳化硅是一种由碳元素和硅元素组成的半导体化合物材料。 与氮化镓、氮化铝、氧化镓等禁带宽度大于2.2eV的材料相比，碳化硅（ SiC ）被归类为宽禁带半导体材料，也被国内称为第三代半导体材料。 分类
了解更多
2023年3月21日 TrendForce旗下半导体研究中心，聚焦化合物半导体. 3 人赞同了该回答. 碳化硅 是一种化合物，由碳和硅元素组成，化学式为SiC。 它是一种耐高温、硬度高、抗
了解更多
2023年9月20日 碳化硅(SiC) 是一种硬质材料,其碳(C) 与硅(Si) 之间呈四面体排列。 SiC 材料具有众多优良的特性[1],如膨胀系数低、抗辐射能力强、漂移速度大、工作强度高、热
了解更多
2023年3月21日 碳化硅是一种化合物，由碳和硅元素组成，化学式为SiC 。它是一种耐高温、硬度高、抗腐蚀、耐磨损的陶瓷材料，也被广泛应用于电子器件和光学器件中。作为陶瓷材料 高硬度：碳化硅具有很高的硬度，约为金刚石的80%，能够很好地抵抗磨损和 ...
了解更多
2021年11月7日 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于 5G 通信、国防军工、新
了解更多
2024年1月2日 1. 碳化硅的制备通常通过化学气相沉积法、碳热还原法和熔融法等进行。 2. 化学气相沉积法通常是通过将硅源和碳源在高温下作用，生成沉积在基底上的碳化硅薄膜。 3. 碳热还原法是将硅粉和结合碳源的石墨混合，加热至高温下进行反应，生成成品的碳化硅。
了解更多
2023年11月20日 在铜合金那篇文章中，我提到了要写陶瓷。陶瓷材料因其高强度、高硬度、耐磨、高温稳定等独特性能，广泛应用于许多领域。例如，研究表明，全陶瓷轴承在水中的性能优于任何不锈钢。常用的陶瓷轴承材料有氮化硅（Si3N4）、氧化锆（ZrO2）、氧化铝（Al2O3）或碳化硅（SiC）等。
了解更多
2023年12月7日 氮化镓的带隙为3.2 eV，而碳化硅的带隙为3.4 eV。虽然这些值看起来相似，但它们明显高于硅的带隙。硅的带隙仅为1.1 eV，比氮化镓和碳化硅小三倍。这些化合物的较高带隙允许氮化镓和碳化硅舒适地支持更高电压的电路，但它们不能像硅那样支持低压电路。
了解更多
2020年9月25日 简析：氮化硅和碳化硅陶瓷的区别. 海合精密氮化硅. 氮化硅陶瓷简介：. 氮化硅陶瓷是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损；除氢氟酸外，它不与其他无机酸反应 (反应方程式：Si3N4+4HF+9H2O=====3H2SiO3 (沉淀)+4NH4F），抗腐蚀能力强，高温时抗氧化。. 而且它 ...
了解更多
2020年2月22日 最近很火的特斯拉model3采用了意法半导体的24个碳化硅MOSFET模块，对比硅基的IGBT续航可以提升5~10%。 3、两者对比 从两者各自的特性，碳化硅是衬底材料最优的选择，以此生长碳化硅的外延片适合高压功率半导体，生长氮化镓的外延片适合中低压功率半导体、LED、射频。
了解更多
2023年10月27日 改进的自蔓延合成法本质上是一种高温燃烧的合成工艺，硅源和碳源在高温下充分燃烧，得到的产物便是 SiC 粉体。在这个工艺过程中，SiC 粉体的纯度、粒径、晶型受多种因素的影响，人们对此做了大量的研究。2． 1 温度对合成高纯碳化硅粉体的影响
了解更多
碳化硅 碳化硅（SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）元素组成的化合物。 其化学式为 SiC，一般来说，碳化硅是由碳和硅以 1:1 的比例结合而成。 纯碳化硅通常是一种透明晶体；但在工业应用中，碳化硅中的杂质可能会导致颜色的变化，例如常见的碳化硅钙化现象。
了解更多
2019年9月19日 碳化硅与硅相比，其中最显著的区别，莫过于SiC的临界电场强度是Si的10倍。这意味着，要达到同样的击穿电压，SiC器件所需要的漂移区厚度，要大大小于硅器件，从而SiC器件的漂移区电阻也会减小。这样的特性，自然也造就了Si MOSFET
了解更多
2019年8月15日 碳和硅都这么优秀了，可是怎么还出了一个碳化硅（SiC）？？？ 一山更比一山高，碳化硅的出现绝非偶然，都是因为一个词——优秀！ 其实，自然界也是存在天然SiC矿石，而且非常罕见。它就是——莫桑石。
了解更多
2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 ...
了解更多
2024年1月3日 碳化硅（SiC）功率器件是一类新型的半导体功率器件，其材料基础是碳化硅，因此也被称为SiC器件。相比传统的硅功率器件，SiC器件具有更高的电子迁移率和更高的击穿电压，使得它们能够承受更高的电压和电流，从而具有更高的功率密度和更高的效率。
了解更多
2022年10月25日 先说说碳化硅(SiC)的优势。首先是功率密度的提高：众所周知汽车里面空间是非常小的，所以功率密度的提高是以后的发展趋势，SiC器件的特性可以不仅使功率半导体的封装相比较硅的方案做得更小，而且使与功率器件配套的无源器件和散热器都做得更小。
了解更多
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高温冶煉而成。碳化硅是一種半導體，在自然界中以極其罕見的礦物莫桑石的形式存在。自1893年以來已經被大規模生產為粉末和晶體，用作磨料
了解更多
2020年1月15日 一、 碳化硅mos对比硅mos的11大优势 1. SiC器件的结构和特征 Si材料中，越是高耐压器件其单位面积的导通电阻就越大（通常以耐压值的大概2-2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。
了解更多
2023年6月22日 因此，基于碳化硅的逆变器设计的尺寸和重量几乎是基于硅的逆变器的一半。促使太阳能制造商和工程师使用 SiC 而不是氮化镓等其他材料的另一个因素是，碳化硅坚固的耐用性和可靠性。碳化硅的可靠性使太阳能系统能够获得持续运行十多年所需的稳定寿命。
了解更多
2023年9月2日 浅聊下最近热门的800V电压平台和碳化硅到底是啥。 众所周知，给电池充电要高功率，而影响功率的就是电流和电压。 所以，要快充电，就得提高充电的电压，或者提高充电的电流。 早在2021年10月19日，中国汽车工程学
了解更多